반응형 반도체 용어 정리2 반도체 공정기술 전공정 및 후공정 총정리 웨이퍼 세정 포토리소그래피 등 1. 반도체 제조 과정의 개요반도체 제조는 전공정과 후공정으로 구분되며, 각 공정은 고도의 정밀성과 첨단 기술이 요구됩니다. 1. 전공정(FEOL, Front-End of Line) • 목적: 실리콘 웨이퍼에 트랜지스터, 다이오드 등 반도체 소자를 제작. • 주요 특징: 미세공정 기술을 활용해 소자를 집적하고, 신호 처리 및 저장 기능을 구현. 2. 후공정(BEOL, Back-End of Line) • 목적: 전공정에서 만들어진 칩을 절단, 패키징하여 최종 반도체 제품으로 완성. • 주요 특징: 칩 보호와 기기 연결성을 제공하며, 품질 검사를 통해 최종 제품 신뢰성을 확보.2. 전공정 (Front-End Process) 상세 설명전공정은 웨이퍼에서 반도체 소자를 형성하는 단계로, 아래 주요 공정으로 구성.. 2024. 12. 30. 반도체 용어 총정리 및 삼성전자 HBM 관련 외부 파운드리 협업 삼성전자는 현재 차세대 HBM4 고대역폭 메모리 개발을 통해 글로벌 반도체 시장에서의 입지를 공고히 하고, 경쟁사 SK하이닉스와의 격차를 줄이려는 전략적 행보를 보이고 있습니다. 특히 이번 HBM4 전략에서는 TSMC와의 협업을 통해 기존의 ‘원스톱 서비스’ 방식을 개선하여 파운드리 협업을 도입함으로써 보다 다양한 고객 요구를 충족하고, 기술 혁신을 가속화하려는 움직임을 보이고 있습니다주요 전략적 요소: 파운드리 협업과 고객 맞춤형 HBM 개발삼성전자는 차세대 HBM4를 생산함에 있어 기존에 강조해온 독립적 D램 및 로직 다이 제조 방식을 넘어서, 로직 다이를 외부 파운드리에서 위탁 생산하는 유연한 접근을 채택했습니다. **로직 다이(Logic Die)**는 HBM의 ‘두뇌’로서 데이터 흐름을 제어하고.. 2024. 10. 31. 이전 1 다음 반응형
