반응형 에칭2 반도체 공정기술 전공정 및 후공정 총정리 웨이퍼 세정 포토리소그래피 등 1. 반도체 제조 과정의 개요반도체 제조는 전공정과 후공정으로 구분되며, 각 공정은 고도의 정밀성과 첨단 기술이 요구됩니다. 1. 전공정(FEOL, Front-End of Line) • 목적: 실리콘 웨이퍼에 트랜지스터, 다이오드 등 반도체 소자를 제작. • 주요 특징: 미세공정 기술을 활용해 소자를 집적하고, 신호 처리 및 저장 기능을 구현. 2. 후공정(BEOL, Back-End of Line) • 목적: 전공정에서 만들어진 칩을 절단, 패키징하여 최종 반도체 제품으로 완성. • 주요 특징: 칩 보호와 기기 연결성을 제공하며, 품질 검사를 통해 최종 제품 신뢰성을 확보.2. 전공정 (Front-End Process) 상세 설명전공정은 웨이퍼에서 반도체 소자를 형성하는 단계로, 아래 주요 공정으로 구성.. 2024. 12. 30. 반도체 기본 용어 및 공정 정리(웨이퍼, 트렌지스터, 노광, 식각 등) 이번에는 반도체 산업 관련 용어와 노광, 식각 공정에 대해 자세히 알아보겠습니다. 목 차 반도체 기본 용어 정리 반도체 노광 공정 식각 공정 반도체 기본 용어 정리 반도체 기본 용어 - 반도체(Semiconductor): 전기전도도가 도체와 부도체 사이인 물질로, 실리콘(Si)이 대표적입니다. - 웨이퍼(Wafer): 반도체 칩을 만드는 데 사용되는 얇은 원판 모양의 실리콘 판입니다. - 트랜지스터(Transistor): 전류의 흐름을 제어하는 반도체 소자로, 데이터 처리의 기본 단위입니다. - 집적회로(IC): 트랜지스터와 다른 전자 부품들이 집적된 회로입니다. 반도체 제조 공정 용어 - 노광(Photolithography): 빛을 사용하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정입니다. - 식각(Etchi.. 2024. 3. 8. 이전 1 다음 반응형
