이번에는 반도체 산업 관련 용어와 노광, 식각 공정에 대해 자세히 알아보겠습니다.
목 차
반도체 기본 용어 정리
반도체 기본 용어
- 반도체(Semiconductor): 전기전도도가 도체와 부도체 사이인 물질로, 실리콘(Si)이 대표적입니다.
- 웨이퍼(Wafer): 반도체 칩을 만드는 데 사용되는 얇은 원판 모양의 실리콘 판입니다.
- 트랜지스터(Transistor): 전류의 흐름을 제어하는 반도체 소자로, 데이터 처리의 기본 단위입니다.
- 집적회로(IC): 트랜지스터와 다른 전자 부품들이 집적된 회로입니다.
반도체 제조 공정 용어
- 노광(Photolithography): 빛을 사용하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정입니다.
- 식각(Etching): 웨이퍼에서 불필요한 부분을 제거하는 공정입니다.
- 이온주입(Ion Implantation): 웨이퍼에 원하는 전기적 특성을 부여하기 위해 이온을 주입하는 공정입니다.
- 증착(Deposition): 웨이퍼 표면에 다양한 물질을 코팅하는 공정입니다.
반도체 메모리 용어
- DRAM(Dynamic RAM): 데이터를 일시적으로 저장하는 휘발성 메모리입니다.
- SRAM(Static RAM): DRAM보다 빠르지만 비용이 더 드는 휘발성 메모리입니다.
- 플래시 메모리(Flash Memory): 전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 비휘발성 메모리입니다.
최신 반도체 기술 용어
- FinFET: 3D 구조를 가진 트랜지스터로, 더 작은 크기에서 높은 성능을 제공합니다.
- EUV(Extreme Ultraviolet Lithography): 극자외선을 사용하여 더욱 미세한 회로 패턴을 형성하는 고급 노광 기술입니다.
- GAA(Gate-All-Around): 게이트가 채널을 모두 둘러싸는 구조로, 더욱 효율적인 전류 제어가 가능합니다.
반도체 노광 공정
반도체 제조 공정에서 '노광'은 웨이퍼 위에 미세한 회로 패턴을 형성하는 중요한 단계입니다. 이 과정은 다음과 같은 순서로 진행됩니다:
1. 전처리: 웨이퍼를 청소하고 준비하는 단계입니다.
2. PR도포: 감광액(포토레지스트)을 웨이퍼 표면에 도포합니다.
3. Soft Bake: 도포된 감광액을 가열하여 웨이퍼 표면에 고정시킵니다.
4. Align Masks: 웨이퍼에 패턴이 그려진 마스크를 정렬합니다.
5. Expose: 노광기에서 빛을 웨이퍼에 노출시켜, 빛에 반응하는 감광액 부분의 화학적 성질을 변화시킵니다.
6. Post Exposure Bake: 노광 후 추가적인 가열 과정을 거쳐 감광액의 반응을 완료합니다.
7. Develop: 노광된 감광액을 현상액으로 처리하여 원하지 않는 부분을 제거합니다.
8. Hard Bake: 현상된 웨이퍼를 다시 가열하여 패턴을 안정화시킵니다.
9. Etching: 식각 공정을 통해 웨이퍼에서 불필요한 부분을 제거합니다.
10. Remove PR: 남아있는 감광액을 제거합니다.
11. Inspection: 최종적으로 웨이퍼를 검사하여 패턴이 정확하게 형성되었는지 확인합니다.
반도체 식각 공정
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식각 공정은 에칭 공정이라고도 하며, 반도체 제조 과정에서 매우 중요한 단계로, 웨이퍼에 증착된 특정 물질을 화학 반응이나 물리적 작용을 통해 제거하여 반도체의 구조를 형성하는 과정입니다. 이 공정은 노광 공정으로 형성된 패턴을 실제 웨이퍼에 구현하는 역할을 합니다.
식각 공정에는 주로 두 가지 유형이 있습니다:
- 습식 식각(Wet Etching): 화학 용액을 사용하여 웨이퍼의 노출된 부분을 제거합니다. 이 방법은 등방성(Isotropic) 식각으로 알려져 있으며, 모든 방향으로 동일하게 재료를 제거합니다.
- 건식 식각(Dry Etching): 플라즈마나 가스를 사용하여 웨이퍼의 노출된 부분을 제거합니다. 이 방법은 비등방성(Anisotropic) 식각으로 알려져 있으며, 주로 수직 방향으로만 재료를 제거하여 더 정밀한 패턴을 형성할 수 있습니다.
식각 공정은 반도체의 미세 패턴을 형성하는 데 필수적이며, 반도체의 성능과 품질에 직접적인 영향을 미칩니다.
읽어주셔서 감사합니다.
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