삼성 vs 중국 반도체: 추격과 역전 시나리오 심층 분석

최근 “중국이 턱밑까지 쫓아온 것이 아니라, 이미 발목을 잡고 늘어지고 있다”는 표현이 어울릴 만큼, 반도체 분야에서 삼성과 중국의 격차가 급속히 좁혀지고 있습니다. 아래에서는 삼성 파운드리 vs 중국 파운드리(예: SMIC·화홍), 삼성 메모리(DRAM) vs 중국 CXMT, 그리고 과거 사례를 통한 역전 예상 시기를 살펴보고, 스마트폰·배터리·파운드리 등에서 나타난 중국 추격의 전형적인 패턴을 분석해 보겠습니다.

1. 파운드리: 삼성 vs 중국 (SMIC + 화홍) – 점유율 역전

화홍+SMIC 점유율이 삼성을 넘었다는 주장은 2024년 하반기 시장조사(TrendForce 등)를 기준으로 사실에 가까운 것으로 보입니다. 실제로 2024년 4분기와 2025년 1분기 사이에 중국 파운드리 2~3위 기업인 SMIC와 화홍의 합산 점유율이 삼성전자를 앞지르는 현상이 나타났습니다 . 2025년 1분기 데이터를 보면:
• 삼성 파운드리: 글로벌 시장 점유율 약 7.7% (매출 기준) . 기술적으로 3nm, 4nm 등의 최첨단 공정을 보유하지만, 수율 문제와 제한적인 외부 고객으로 매출 부진을 겪고 있습니다 .
• 중국 (SMIC ~6% + 화홍 ~2.7%): 합산 8.7% 내외의 점유율 . 미국 제재로 EUV 등 최첨단 장비는 제한되었으나, 28nm 이상 구형 공정에 집중하여 중국 내수 수요를 흡수한 결과입니다 . 특히 정부 보조금에 힘입어 낮은 마진을 감수하고 가격 공세를 펼친 점이 크죠 . 게다가 2025.3분기에도 중국이 삼성보다 파운드리 점유율이 높아졌습니다. 이제 이 순위는 고착화되는 듯 합니다.

https://valuable12.com/entry/TSMC-삼성전자-20253분기-글로벌-파운드리-시장-점유율-및-매출-추이-비교-분석-20242025

2025.3분기 글로벌 파운드리 시장 점유율 tsmc 삼성전자 smic

➥ 왜 삼성이 밀렸을까? 아이러니하게도, 돈 되는 최첨단에서는 TSMC가 압도적 1위, 물량이 몰리는 구형에서는 중국 기업들이 치고 올라오면서 삼성이 샌드위치가 된 형국입니다. 삼성은 3nm GAA 같은 기술을 세계 최초 도입했지만 수율 저하와 고객 미확보로 고전하고 있고 , 중국은 EUV 장비를 못 쓰게 되자 오히려 성숙 공정에 올인하여 내수 물량을 빨아들이고 있습니다  . 중국 파운드리들은 정부 지원을 바탕으로 가격을  낮추고 공격적으로 캐파를 늘리며, 대만 UMC나 한국 DB하이텍 등 기존 성숙 공정 강자들을 위협하는 중입니다  . TrendForce에 따르면 2024년 기준 전세계 레거시(성숙) 공정 생산능력의 34%가 중국에 있으며, 2027년엔 중국이 대만을 추월할 것으로 전망됩니다 . 결국 삼성 파운드리는 첨단에서는 TSMC에 밀리고, 범용 생산량에서는 중국에 밀리는 이중苦를 겪고 있습니다.

2. 메모리(DRAM): 삼성 vs CXMT – 기술 격차와 추격 속도의 현실

설계도를 훔쳐갔으니 이제 격차가 없는 것 아니냐는 말처럼, 최근 중국 CXMT의 추격은 일부 범용제품에서 격차가 사실상 0년에 수렴하고 있습니다. 다만 최첨단 제품에서는 약 3~5년 격차가 여전히 존재하는 것으로 평가됩니다. 아래 표는 현재 시점 삼성전자와 CXMT의 기술 수준과 생산능력을 비교한 것입니다.

비교 항목 중국 CXMT 삼성전자 (메모리) 격차 평가
공정 기술 19nm (DDR4) ~ 17nm (DDR5 시도) EUV 장비 없이 DUV 멀티패터닝 1512nm (1z1β 세대 DDR5 생산) EUV 적용 (업계 유일) 약 3~4년 기술 격차삼성·SK는 12nm급 EUV 공정으로 DDR5 생산, CXMT는 17nm DUV 공정으로 비슷한 DDR5 제작 (칩 크기 40% 큼)  .
주력 제품 DDR4, LPDDR4X (구형 PC·모바일용)※ DDR5/LPDDR5 개발 중 – 2025년 양산 목표 DDR5, LPDDR5X (신규 PC·모바일용)HBM3/E (AI가속기용 초고속메모리) 범용품에서는 격차 소멸, 중국도 DDR4 동등 생산.최첨단에선 3~5년 격차, DDR5 초기 수율 저조 및 HBM은 개발 단계  .
월간 생산량 약 15만 장 (’24년말)→ ’25년 20만 장 이상으로 급증 예상  약 60~70만 장 (삼성 전체 캐파)※이 중 상당량은 NAND 포함 물량 격차 축소: CXMT ’22년 7만→’24년 20만 WPM 확대 . 보조금 앞세워 “가격으로 승부” – DDR4 시장 가격 교란.

주: CXMT 생산량은 시장 추정치, 삼성은 메모리 전체 월캐파 기준. WPM = 웨이퍼 per month.

➥ 기술 유출과 격차 단축: CXMT의 급격한 기술 향상은 기술 탈취와 인력 빼가기의 결과물이기도 합니다. 2023년 CXMT가 중국 최초로 18nm 공정 DRAM 양산에 성공했을 때 업계가 놀랐지만, 2025년 한국 검찰 수사로 해당 기술은 삼성전자 전직 임직원이 유출한 것이 드러났습니다  . 삼성 최신 16nm 공정 도면과 공정 노하우 수백 건이 넘어갔고, 삼성 추산 5조 원대 피해가 발생한 것으로 알려졌습니다 . 이는 CXMT가 별도 연구개발 기간 없이 곧바로 삼성과 비슷한 세대의 DDR4를 만들 수 있었음을 의미합니다. 실제로 CXMT는 유출된 18nm급 기술로 DDR4를 이미 양산하고 있으며, 삼성의 주요 매출원 중 하나인 범용 DDR4 시장에서 동등한 제품을 내놓고 반값에 판매하고 있습니다 . 격차 0년이라는 말이 나오는 배경입니다.

반면 최첨단 영역에서는 아직 간극이 있습니다. 삼성과 SK하이닉스는 2021년에 이미 1α (14~16nm) 공정 DDR5 양산을 시작했고, 현재 1β (12~13nm) 세대까지 진입한 반면  , CXMT는 1y~1z (17nm 안팎) 수준에서 뒤늦게 DDR5를 개발 중입니다. 그것도 EUV 없이 구형 장비로 찍어내다 보니 동일 용량 칩의 크기가 삼성 제품보다 40% 크고, 소비전력도 높은 열등품이었습니다 . 2025년 중반까지 품질 문제로 대량 생산을 미루고 수율 개선에 매달린 상태이며, 초기 DDR5 칩 수율은 50%대에 그쳐 양산성이 떨어졌습니다 . 결국 “돈 되는 최신 HBM은 못 만들지만, 돈 되는 구형 DDR4는 똑같이 만들게 된” 상황으로, 기술적 격차는 양산성/수익성의 격차로 남아있다고 볼 수 있습니다.

➥ 가격 공세와 삼성 수익성 압박: 더욱 심각한 점은 중국이 물량을 앞세워 가격을 무너뜨리는 전략을 쓰고 있다는 것입니다. CXMT와 또 다른 중국 DRAM사인 푸젠진화(JHICC)는 DDR4 가격을 한국산 대비 50% 이상 낮춰 파격 공급하고 있으며, 심지어 한번 쓰고 뗀 중고 메모리보다도 싼 가격에 풀리는 경우까지 발생했습니다  . 중국 정부의 보조금 지원으로 적자를 감수하고서라도 시장점유율을 높이려는 전략이므로, 삼성전자처럼 수익성을 중요시해야 하는 기업에는 큰 타격입니다 . 실제로 삼성·SK는 DDR4 생산을 줄이고 DDR5/HBM3 등 고부가 제품으로 투자 집중 노선을 택하고 있는데 , 이는 마치 스마트폰 시장에서 삼성 갤럭시가 중국의 저가 공세에 밀려 고급 모델 위주로 버티는 전략과 유사합니다.

3. 중국이 삼성 추월하는 시나리오 – 과거 사례로 예측

과거 반도체 업계에서 “선두주자가 추격자에게 왕좌를 내준” 대표적 사례로 1980년대 일본 vs 1990년대 한국을 들 수 있습니다. 일본 도시바, NEC 등이 1980년대 초반까지 메모리 1위를 지켰지만, 1983년 미국의 ‘반도체 협정’ 등의 변곡점을 기점으로 기술격차가 좁혀지기 시작하여 약 10년 후인 1992~93년에 삼성전자가 DRAM 세계 1위에 올랐습니다  . 이 격차 축소 → 추월까지 걸린 10년의 시간을 현재 중국에 대입해 보면, 몇 가지 시나리오로 전망할 수 있습니다:
• [시나리오 1] 범용 메모리 분야 (DDR4 등) – 역전 시기: 진행 중 (~2026년)
상황: 위에서 본 대로 중국은 범용 DDR4 시장에서 사실상 삼성과 동등한 제품을 쏟아내고 있고, 가격은 반값으로 후려치고 있습니다 . 미국 수출 통제로 중국은 최첨단 AI용 HBM은 못 만들지만, PC·가전에 필수인 DDR4는 내수 물량을 앞세워 “덤핑”하고 있는 것입니다.
전망: 삼성은 수익성이 맞지 않는 DDR4 비중을 빠르게 줄일 수밖에 없고, 시장점유율은 자연히 중국에 넘어갈 것이라는 전망입니다. 이는 마치 스마트폰 시장에서 삼성 갤럭시가 중저가폰은 포기하고 플래그십에 집중하게 된 과정과 흡사합니다. 실제로 삼성전자는 중국 저가폰의 공세로 중국 시장 점유율이 2013년 20%대에서 2018년 0%까지 추락한 바 있습니다. 글로벌 점유율에서도 갤럭시보다 중국폰이 2.5배 이상 높은 점유율을 유지하고 있습니다.(2025년 기준) 메모리 시장에서도 이와 같이 “중국이 저가로 깔고 들어오는 분야는 내주는” 양상이 가속화되어, 2026년쯤이면 범용 DRAM 분야에서 중국이 사실상 1위가 될 가능성이 높습니다.
• [시나리오 2] 메모리 전체 매출 1위 자리 – 역전 시기: 2030년대? (미국 제재의 향방이 핵심 변수)
상황: 메모리 전체 매출 1위란, 단순 생산량이 아니라 고부가 제품을 포함한 종합 매출에서 앞선다는 의미입니다. 이는 기술 리더십과 직결되는데, 현재는 삼성전자(또는 SK하이닉스)가 HBM같은 초고가 제품을 팔아 벌어들이는 매출이 워낙 크기에 중국이 “양은 비벼도 돈은 못 이기는” 단계입니다. 미국의 제재가 없다면 중국은 막대한 정부 투자로 EUV 장비까지 확보해 1α, 1β 세대 공정도 따라잡겠지만, 현실적으로 미국이 중국의 EUV 접근을 철저히 차단하고 있습니다 . 네덜란드 ASML의 EUV 노광기는 단 한 대도 중국에 수출되지 않았고, 미국은 심지어 DUV(심자외선) 장비마저 수출 통제해 중국이 항상 한 세대 뒤처지도록 억제하고 있습니다 .
전망: 미국산업 vs 일본의 1980년대 사례를 떠올려 보면, 일본이 기술은 앞섰지만 미국의 무역 압박(플라자합의, 시장개방 압력)으로 수익성이 악화되며 스스로 주저앉은 면이 있습니다. 현재 미국의 대중국 제재는 그보다 더 직접적으로 “장비 공급 차단”으로 나가고 있기에, 중국이 10나노 미만 공정을 독자 달성하지 못하는 한 삼성의 기술 리더십은 유지될 가능성이 높습니다. 즉, 향후 5년 내에 중국이 메모리 매출 1위를 차지하기는 어렵다는 견해입니다 . 다만 만약 지정학적 변수로 제재가 풀리거나, 중국이 2030년경 자체 EUV를 실용화한다면 상황은 급변할 수 있습니다. (※ 실제 Reuters 보도에 따르면 중국은 2025년 자체 EUV 노광기 시제품을 개발해 2028~30년 실용화를 목표로 하고 있다고 전해집니다  .)

정리하면, 양적으로는 3~5년 내 중국이 세계 최대 메모리 생산량 국가가 될 수 있으나, 질적으로(매출 및 이익) 삼성의 선두 자리는 미국의 ‘보이지 않는 울타리’ 덕에 당분간 유지될 것이라는 분석입니다. 삼성 입장에서 위안이라면 1등 타이틀은 지키겠지만, 반대로 말하면 수익성은 계속 갉아먹히면서 버티는 힘든 싸움이 될 것이라는 뜻입니다.

4. 삼성의 진짜 위기: 반복되는 ‘샌드위치’ 포위망

끝으로, 스마트폰, 배터리, 파운드리 사례를 통해 본 중국의 추격 공식을 정리하면 다음과 같습니다.
• ① 내수 시장 + 정부 보조금으로 ‘덩치 키우기’: 중국 업체들은 먼저 거대한 내수 시장을 기반으로 규모의 경제를 달성합니다. 스마트폰의 화웨이·샤오미, 배터리의 CATL·BYD, 파운드리의 SMIC·화홍 모두 중국 정부의 보조금과 정책 지원 속에 자국 시장을 거의 독점하다시피 하여 세계 Top5 안에 드는 생산량을 확보했습니다  . 이를 통해 글로벌 가격 결정권을 가져올 기반을 닦는 것이죠. (예: CATL은 2024년 전세계 EV배터리의 37.9%를 공급하는 1위 업체로 성장, 삼성SDI는 3~5%대에 그쳐 존재감이 미미해졌습니다  .)
• ② 기술 확보: 자체 R&D + 탈취/스카우트 병행: 중국은 *“시간을 돈으로 산다”*는 표현처럼, 필요 기술을 동시다발적으로 확보합니다. 한편으로는 천문학적 예산을 R&D에 퍼부어 자체 개발을 시도하면서, 다른 한편으로는 글로벌 선두 기업의 기술을 빼오는 지름길을 병행합니다. DRAM 분야의 CXMT 사례에서 보았듯, 전문 인력을 높은 연봉으로 영입하고 , 산업스파이를 동원하거나 합작 형식을 빌려 설계도·공정 정보를 탈취하는 일이 빈번합니다  . 스마트폰 초기의 샤오미가 구글 안드로이드 생태계를 활용하고 삼성 부품 인력을 흡수했던 것, CATL이 해외 배터리 기업 인재들을 적극 스카우트하고 특정 화학물질 특허를 우회 설계한 것 등도 같은 맥락입니다. R&D 비용을 절감하면서 시행착오 시간을 줄여 선두주자를 빠르게 추격하는 전략입니다.
• ③ 저가 물량 공세로 선두 기업의 이익 구조 파괴: 결정적인 단계는 가격으로 승부하는 것입니다. 중국 기업들은 ①, ② 단계를 거쳐 일단 어느 정도 상품 경쟁력이 생기면 초저마진 혹은 적자판매도 불사하는 낮은 가격으로 시장 점유율을 가져옵니다  . 중국 업체들은 정부 지원 덕분에 단기 손실을 버틸 수 있지만, 상장사인 삼성전자 등은 수익성 악화에 주주가 민감하기 때문에 이런 출혈 경쟁을 오래 할 수 없습니다. 결국 선두 기업이 수익성 방어를 위해 해당 시장에서 철수하거나 고급 틈새시장만 남기게 되고, 중국은 시장 장악에 성공합니다. 삼성 스마트폰의 중국 철수, 삼성 SDI의 중저가 소형전지 사업 축소 등이 그런 예입니다. 메모리 시장에서도 삼성·SK가 DDR4 비중을 급격히 줄이고, HBM 같은 소수 고객용 제품에 집중하는 방향으로 재편되고 있습니다 .

以上의 패턴으로 볼 때, 삼성 반도체의 현 위기는 ‘샌드위치’란 단어로 집약됩니다. 아래로는 중국의 저가 범용 제품이 깔고 치고 올라오고, 위로는 전통 경쟁자인 SK하이닉스 (특히 HBM3/E 등 AI 메모리 동맹에서 우위)와 파운드리의 TSMC가 첨단 기술을 선도하면서, 삼성은 가운데서 입지가 약화되는 형국입니다. 특히 이번에 밝혀진 삼성 기술 유출 사건은 이 포위망의 한 축인 “중국의 추격 속도”를 배가시킨 촉매제가 되어버렸습니다. 삼성전자가 명목상 1위는 지킬지언정 실속 없는 1위로 전략할 위험 신호가 켜진 것입니다. 앞으로 5년, 삼성과 한국 반도체 업계가 기술 리더십을 사수하면서도 어떻게 수익성을 방어해낼지가 큰 숙제로 다가오고 있습니다.

참고한 자료: 삼성 파운드리 및 중국 파운드리 점유율  , 중국 파운드리의 성숙공정 집중 전략  , CXMT와 삼성 DRAM 기술 격차  , CXMT의 DDR5 개발 현황 , 중국의 DDR4 가격 공세 , 삼성 기술 유출 사건  , 미국의 대중 반도체 장비 수출 통제 , 스마트폰·배터리 시장에서의 중국 기업과 삼성 위치   등.