DDR5 메모리 시장 경쟁과 한·중 반도체 기술 격차 분석 튜

ㅍㄷ.  
1. 중국의 DDR5 메모리 생산 현황: CXMT의 진전

중국의 주요 DRAM 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 DDR5 메모리 분야에서 최근 빠른 발전을 보이고 있습니다. CXMT는 2024년 말부터 소량의 DDR5 칩 생산을 시작했으나, 초기에는 기술적 난관에 부딪혔습니다. 예를 들어, CXMT의 초창기 DDR5 샘플은 60°C 이상의 온도에서 안정성 문제가 나타나고 영하 환경에서도 동작 불량이 발견되어 신뢰성 기준을 충족하지 못했습니다 . 이 때문에 CXMT는 회로 설계를 수정하고 새로운 포토마스크를 제작하는 등 품질 개선을 위한 추가 작업을 수행해야 했습니다 . 이러한 개선 조치 이후 CXMT의 DDR5 칩 품질은 대만의 난야(Nanya)와 유사한 수준까지 올라온 것으로 전해집니다 . 이는 CXMT 제품의 기본적인 동작 특성과 신뢰성이 일정 수준 확보되었음을 의미합니다. 포

수율(양품 비율) 측면에서는 아직 개선이 필요한 상황입니다. 2025년 초 CXMT DDR5 라인의 초기 수율은 불과 10~20% 수준에 그쳤다는 관측도 있으며 , 2025년 7월 보도에 따르면 수율이 50% 남짓에 머물러 대량 생산에는 부족한 상태였습니다 . 다만 중국 매체들은 2024년 말 기준으로 수율 80% 달성이라는 보고를 내놓기도 했고, CXMT 스스로도 2025년 말까지 90% 수율을 목표로 내세우는 등 기술 개선을 지속하고 있습니다  . 이러한 높은 수율 달성 주장은 한국 ㅊㅠ업계의 반론에 부딪히기도 했는데, EUV(극자외선) 노광 장비 없이 DUV 공정만으로는 80% 수율 달성이 어렵다는 지적입니다 . 실제로 삼성전자와 SK하이닉스 등 선두 업체들은 10nm 초반대 공정에서 EUV를 활용해 높은 수율을 확보하고 있는 반면, CXMT는 구형 DUV 기반 17~18nm 공정으로 생산을 시도하고 있어 기술적 한계가 있다는 분석입니다 .

기술 노드 면에서 보면, CXMT는 미국 제재의 어려움 속에서도 16~17nm급 공정의 4세대(G4) DRAM 기술로 DDR5 16Gb 칩을 개발하는 데 성공했습니다  . 이는 CXMT가 초기 23nm(G1), 18nm(G2) 공정을 거쳐 미세화에 지속 성공하여, 제재에도 불구하고 DDR5 세대에 진입했음을 보여줍니다 . 다만 이 16Gb DDR5 칩의 다이 크기가 삼성 제품보다 40% 크다고 하며, 이는 더 낮은 밀도와 높은 생산원가를 의미합니다 . 즉, CXMT의 DDR5는 동등 용량 대비 선두업체보다 칩 면적이 크고 제조비용이 높아, 가격으로 시장을 석권하기에는 아직 한계가 있습니다 . 실제로 CXMT는 해당 문제를 인지하고 공정 개선을 위해 DDR5 제품 양산 일정을 당초 2025년 중반에서 2025년 말로 연기한 것으로 알려졌습니다 .

긍정적인 면은 개선 속도입니다. CXMT는 설계 수정으로 앞서 언급한 온도 안정성 문제를 해결했고 , 정부의 막대한 지원을 바탕으로 생산 캐파(capacity)를 급격히 늘려가고 있습니다. 2024년 말부터 월 5만 장 규모의 17nm DDR5 웨이퍼 라인을 가동했으며 , 2025년 말까지 추가로 설비를 증설하여 DDR5 생산능력을 배로 확대할 계획입니다 . 또한 CXMT는 DDR4 제품에서는 이미 90%에 달하는 수율을 달성하여 월 10만 장 수준 생산을 안정화했는데 , 이러한 DDR4에서의 경험과 수익 기반이 DDR5 전환을 뒷받침하고 있습니다.

요약하면, CXMT는 2025년 현재 DDR5 기술 격차를 상당 부분 좁혔지만 수율 및 원가 경쟁력에서는 여전히 도전 과제가 남아 있습니다. 신형 DDR5 제품의 신뢰성은 개선되어 업계 표준에 근접했고 , 2025년 말 양산을 목표로 품질과 수율 향상에 주력하고 있습니다. 이는 중국이 차세대 메모리 분야에서도 존재감을 높이고 있음을 시사하며, 전통적인 메모리 강자들에게 새로운 변수로 작용하고 있습니다.

2. 주요 반도체 부문에서 한국 vs 중국 기술 비교

한국과 중국은 DRAM, NAND Flash, 파운드리(foundry) 등 핵심 반도체 부문에서 기술 수준과 생산능력에 뚜렷한 격차를 보이고 있습니다. 아래에서는 DRAM, 낸드플래시(NAND), 파운드리 세 분야별로 최신 세대 기술, 공정 노드, 수율 및 생산 규모를 비교해봅니다.

2.1 DRAM 부문 비교: 삼성·SK하이닉스 vs CXMT

공정 세대 및 기술 노드: 2025년 현재 한국의 메모리 기업들은 10nm 초반대 (1α~1γ 세대) 공정을 활용하여 DDR5를 양산 중입니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 EUV 공정을 도입한 1214nm 수준의 미세 공정에서 16Gb DDR5 칩을 생산하고 있으며 , SK하이닉스는 이미 4세대(1c) DDR5 기술 개발을 완료하여 차세대 제품 출하를 준비하고 있습니다 . 반면 중국 CXMT의 DDR5 공정은 18nm (DUV 공정) 수준으로, 한국에 비해 약 3년 내외의 기술 격차가 있다는 평가입니다  . 실제로 글로벌 Top3 업체들은 2021년에 16Gb DDR5를 양산한 반면 CXMT는 2024년에야 처음 DDR5 칩을 내놓아 약 3년 간극이 존재합니다 . 기술적으로는 1.5~5년 정도 뒤처졌다는 분석도 있지만, 일부에서는 CXMT DDR5의 성능이 거의 근접했다는 평가까지 나올 정도로 격차가 빠르게 줄고 있습니다  .

수율 및 제품 완성도: 한국 업체들은 수년간의 DDR5 양산 경험으로 수율 90% 내외의 안정적인 생산체제를 구축한 것으로 알려져 있습니다 . 특히 미세공정에서의 풍부한 노하우와 회로설계 최적화로 초기 신제품도 비교적 빠르게 수율을 끌어올리고 있습니다. 이에 비해 CXMT의 DDR5 초기 수율은 50% 이하에 머물러 양산에 어려움을 겪었으며 , 일부 한국 매체는 실제 수율이 10~20%에 불과하다고 지적하기도 했습니다 . 현재 CXMT는 꾸준한 개선으로 수율 80% 수준에 근접했다는 보도가 있으나 , 이는 어디까지나 목표치로서 2025년 중반 시점까지는 절반 수준 수율에 머물렀다는게 중론입니다 . 한편 제품 신뢰성 측면에서 한국산 DRAM은 다년간 검증된 높은 안정성을 보여주며, CXMT 제품도 앞서 언급한 대로 설계 개선으로 기본 품질은 확보한 상황입니다 .

생산 규모 및 점유율: 한국은 삼성전자와 SK하이닉스 양대 기업을 통해 전세계 DRAM 시장의 60~70%를 공급하는 압도적 지위를 차지하고 있습니다 . 두 회사를 합친 월간 웨이퍼 투입량은 약 **114만 장(2024년 기준)**에 달하며, 삼성 ~68만, SK 46만 수준으로 추산됩니다 . 이에 비해 CXMT는 2020년 월 4만 장에서 출발해 2024년에는 월 20만 장 수준으로 급증했는데 , 이는 한국 두 회사의 17% 수준에 불과하지만 성장률 측면에서는 폭발적입니다. 2025년 1분기 기준 CXMT의 글로벌 DRAM 점유율은 약 5%로 평가되며 , TrendForce 등은 이 수치가 2025년 말 12%까지 상승하여 ‘빅3’ 구도가 ‘빅4’ 체제로 바뀔 가능성을 제기하고 있습니다  . 실제 중국 CXMT는 정부 지원을 등에 업고 2024년 1분기 월 10만→2025년 1분기 20만 장으로 생산량을 2배 확대했고, 2026년에는 30만 장/월에 이를 것으로 전망됩니다 . 이런 추세라면 마이크론의 생산량에 육박하고 SK하이닉스의 절반 수준까지 따라붙을 것이라는 전망도 나옵니다 .

다음 표는 DRAM 분야에서 한국과 중국의 주요 지표를 정리한 것입니다:

구분 한국 (삼성전자·SK하이닉스) 중국 (CXMT 등)
공정 노드 12~14nm (1α/1β 세대, EUV 활용)   16~18nm (4세대 DDR5, DUV 공정)  
DDR5 양산 시점 2021년 (16Gb DDR5 본격 양산)  2024년 말 샘플 출하, 2025년 말 양산 예정 
DDR5 수율 ~90% (안정 성숙 단계)  50% (2025년 중반), 개선 목표 8090%  
글로벌 시장점유율 ~70% (2024년, 삼성 34%·SK 36%)  ~5% (2023년) → 1012% (2025년 예상)  
월 웨이퍼 생산량 ~114만 장/월 (2024년)  ~20만 장/월 (2024년), 2025년 말 ~28만 장 목표  

주: 한국의 DRAM 기술은 세대 코드(1x, 1y, 1z, 1a etc.)로 관리되며, CXMT도 자체 세대(G1~G4)를 규정하고 있음. 수율은 공개 수치가 아니므로 보고치 기반의 추정.

2.2 NAND Flash 부문 비교: 삼성·SK 등 vs YMTC

기술 세대(레이어 수): 낸드플래시 분야에서 한국 기업들은 세계 최고 수준의 적층 기술을 보유하고 있습니다. SK하이닉스는 238단 3D NAND를 2022년에 선보였고 현재 321단 차세대 제품을 개발 중이며  , 삼성전자도 2022년 양산한 236단 V-NAND에 이어 300단 이상 기술을 준비하고 있습니다. 이에 맞서 중국 **YMTC(长江存储)**는 2022년 미국 제재 이전까지 128단→192단으로 빠르게 추격했고, 최근에는 232단 X4-9070 3D TLC NAND를 출시하며 적층 수를 대폭 높였습니다 . 특히 YMTC의 5세대 3D NAND는 두 개의 적층 구조(150+144단)를 접합(bonding)하여 총 294단을 구현한 것으로 알려져, 단순 층수 면에서는 한국 업체와의 차이를 거의 없앴습니다 . 요컨대, NAND 기술 격차는 DRAM에 비해 상대적으로 층수 기준 1세대 이내로 좁혀진 양상입니다 .

다만 세부 구현과 품질에서는 아직 차이가 있습니다. 한국 업체들은 수백단의 메모리를 쌓는 적층 공정의 수율과 신뢰성에서 오랜 노하우를 지니고 있고, 고속 인터페이스 및 컨트롤러 기술에서도 앞서 있습니다. YMTC의 경우 제재로 EUV 등 첨단 노광 장비를 사용하지 못해 미세 공정상의 한계가 있고, 이로 인해 셀 품질과 칩 안정성에서 격차가 존재한다는 평가가 있습니다 . 한 한국 반도체 업계 관계자는 “YMTC는 미국 수출 규제로 ASML의 EUV를 쓰지 못해 품질·안정성에서 격차가 있다”며, 프리미엄 NAND 시장에서는 아직 한국의 기술우위가 유지된다고 언급했습니다 . 실제로 데이터센터용 고성능 SSD나 최신 스마트폰용 UFS 저장장치 등 고부가 NAND 분야에서는 삼성과 SK의 제품이 채택되는 비중이 높습니다.

생산량 및 시장점유: 낸드 시장에서 삼성전자는 약 **3134%**의 점유율로 1위를 지키고 있고, SK하이닉스(솔리다임 포함)는 약 1820% 수준으로 상위권을 형성하고 있습니다. 중국 YMTC는 한때 2022년경 **전세계 약 56%**까지 점유율을 높였으나, 미국 제재로 애플 등 해외 고객을 잃고 어려움을 겪었습니다. 그럼에도 불구하고 중국 내수 수요를 바탕으로 생산을 이어가 2024년 말에는 130천 장/월 (웨이퍼 기준) 생산능력, 글로벌 공급의 8% 수준까지 회복한 것으로 보도되었습니다 . YMTC는 이에 그치지 않고 2025년 이후에도 설비 투자를 지속하여 150천 장/월 이상으로 확대를 추진하고 있으며, 2026년 말에 전세계 NAND 생산의 15%를 차지하는 것을 목표로 세웠습니다  . 이는 불과 23년 내에 시장점유율을 두 배로 늘리겠다는 공격적인 계획으로, 글로벌 경쟁사들이 수요 부진으로 투자를 줄이는 가운데 이루어지고 있다는 점에서 주목됩니다  .

국산화 노력: YMTC의 성장은 중국 정부의 적극적인 지원과 맞물려 있습니다. 미국의 제재로 선단 공정 장비 확보가 어려워지자, 중국산 장비만으로 가동되는 시범 생산라인 구축을 추진하는 등 자구책을 모색하고 있습니다  . 또한 화웨이 등 자국 IT기업들이 YMTC의 NAND를 스마트폰 등에 채용하면서 내수 시장을 기반으로 한 성장 전략을 취하고 있습니다 . 반면 한국은 낸드플래시 주요 수요처가 해외 데이터센터, PC/모바일 제조사 등으로 다양하게 분포하며, 중국 내에도 상당량을 수출하고 있습니다. 하지만 중국이 메모리 국산화에 성공할 경우 이 수출 물량이 잠식될 우려가 있으므로, 한국 업체들은 한 발 앞선 차세대 기술 개발(예: PLC NAND, 3D 500+단 등)과 고부가 제품 라인업 확대에 힘쓰는 중입니다.

2.3 파운드리(반도체 위탁생산) 부문 비교: 삼성전자 vs SMIC

최신 공정 노드: 시스템 반도체 파운드리 분야에서 한국은 삼성전자를 중심으로 **3nm급 최첨단 공정(GAA 트랜지스터 구조)**을 세계 최초로 도입했으며, 2025년 현재 3nm 공정 양산을 진행 중입니다. 반면 중국의 최대 파운드리인 **SMIC(중신궈지)**는 미국 수출 규제 영향으로 EUV 노광기를 도입하지 못해, **7nm급 FinFET 공정(N+2 공정)**이 사실상 가장 미세한 노드로 파악됩니다 . 2023년 하반기 화웨이의 스마트폰 AP인 Kirin 9000S 칩이 SMIC의 7nm 공정으로 생산되어 화제가 되었는데, 이를 통해 중국도 7nm 칩 양산 능력은 입증한 상황입니다 . 그러나 7nm 이하의 공정으로 내려가는 데 EUV 장비 부재가 큰 걸림돌이어서, 현재 SMIC는 14nm, 28nm 등의 성숙 공정을 중심으로 국내 수요를 충당하는 전략을 취하고 있습니다. 중국은 장기적으로 자체 EUV 개발을 추진 중이며, SMEE(상해미광전자 등)가 28nm급 노광장비를 만들고 향후 7nm급 EUV를 개발 중인 것으로 알려졌으나 , 선단 공정에서는 여전히 한국(및 대만, 미국) 대비 10년 이상 격차가 있다는 평가가 나옵니다 (ASML 최고경영자는 *“중국이 첨단 칩에서 10~15년 뒤져 있다”*고 언급 ).

생산 규모 및 시장 점유율: 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 압도적 1위(점유율 60%대)를 차지하고 있고, 삼성전자가 약 8~10% 수준으로 2위 자리를 유지해왔습니다 . 그런데 최근 삼성의 점유율이 하락하고 SMIC의 점유율이 상승하면서 두 회사의 격차가 좁혀지고 있습니다 . 2025년 1분기 기준 삼성 파운드리의 매출 점유율은 **7.7%**로 떨어진 반면 SMIC는 **6.0%**까지 올라와, 두 회사의 격차가 불과 1.7%p에 불과해졌습니다  . SMIC는 미국의 첨단칩 수출 통제가 심화되자 내수 고객(가전, 통신, 자동차용 등)의 주문이 몰리며 최근 분기에도 매출이 성장하는 유일한 톱5 파운드리가 되었습니다 . 이처럼 SMIC는 상대적으로 28nm~40nm 등의 범용칩 수요를 기반으로 꾸준한 생산량을 보이며 중저급 공정 시장에서 존재감을 높이고 있습니다. 반면 삼성전자는 스마트폰 AP, HPC(고성능컴퓨팅) 칩 등 첨단 노드 수요에 편중되어 있어, 일시적인 수요 변동과 미국 수출 통제 영향을 더 크게 받고 있습니다 .

경쟁 구도와 전략: 삼성전자는 파운드리 부문에서 TSMC를 추격하기 위해 막대한 투자를 단행하고 있습니다. 2024년 화성/P3 라인 등에 대한 시설 투자만 수조원을 집행하며, 2nm 공정을 2025~26년 양산 목표로 개발 중입니다. 또한 미국 텍사스와 한국 기흥에 첨단 패키징 팹을 신설하여, 고객사를 위한 칩렛 및 3D 적층 패키지 역량을 강화하고 있습니다  . 이에 비해 SMIC는 자체적인 최첨단 도전과 함께 성숙 공정의 규모의 경제를 통해 중국 내 수요를 최대한 자급하는 전략을 취합니다. 중국 정부는 반도체 장비·소재 국산화까지 전체 생태계 육성에 나서고 있어  , 장기적으로 SMIC의 기술적 한계가 완화될 가능성도 있습니다. 하지만 단기적으로는 여전히 삼성 vs SMIC 간 기술 격차가 뚜렷하며, 삼성은 전세계적인 고객 기반과 신뢰도, SMIC는 중국 내 거대한 내수 시장과 정부 지원을 각각 강점으로 갖고 있습니다. 삼성전자가 파운드리 세계 2위 수성을 위해서는 TSMC와의 경쟁뿐 아니라 바짝 추격해오는 SMIC와도 격차를 유지해야 하는 과제를 안고 있습니다.

3. 한국 메모리 기업의 전략: 삼성전자와 SK하이닉스

한국의 두 메모리 대기업인 삼성전자와 SK하이닉스는 중국의 추격 속에서도 기술 리더십을 유지하기 위해 다각적인 전략을 펼치고 있습니다. 이들은 그간 축적된 기술력과 자본력을 바탕으로 한 세대 앞선 기술 확보, 고부가가치 제품 집중, 생산 효율 극대화 등을 통해 DRAM 선두 지위를 사수하는 중입니다.
• 첨단 공정 선도: 삼성과 SK하이닉스는 EUV 공정 도입 등 업계에서 가장 앞선 공정 기술을 도입하여 미세공정 격차를 유지하고 있습니다. 예를 들어 삼성전자는 세계 최초로 DRAM에 EUV 공정을 적용(1a nm)했고, SK하이닉스도 4세대 10나노급(1a)부터 EUV를 채택하여 5세대(1b), 6세대(1c) 개발을 가속화했습니다. 이러한 공정 우위는 높은 밀도와 수율로 이어져 중국 업체들이 따라오기 어려운 진입장벽으로 작용합니다 . 또한 한국 업체들은 DDR5 이후를 대비해 DDR6, 차세대 메모리(MRAM, PIM 등) R&D에도 투자를 늘리며 기술 초격차 전략을 구사하고 있습니다.
• 고대역폭·고부가 메모리 집중: HBM(고대역폭 메모리), GDDR(그래픽 DDR), LPDDR(모바일용 저전력 DDR) 등 프리미엄 메모리 분야에 집중하는 전략이 두드러집니다. SK하이닉스는 AI 붐에 대응해 HBM3을 세계 최초 양산하고 엔비디아 등에 공급함으로써 2025년 1분기 DRAM 매출 1위에 오르는 성과를 거뒀습니다 . 삼성전자도 HBM에 후발로 참전하여 HBM-PIM 등 차별화 기술을 선보이고, 최신 HBM3E 양산 계획을 밝히는 등 만회를 노리고 있습니다. 양사는 또한 모바일향 LPDDR5X, 서버향 고용량 DDR5, 차량용 고신뢰성 메모리 등 세분화된 고부가 제품군을 확보하여, 단순 PC용 범용 DRAM에만 의존하지 않는 포트폴리오를 갖추었습니다. 이는 CXMT 등 중국 업체가 당장 진입하기 어려운 영역을 선점함으로써 수익성과 시장 지배력을 방어하는 전략으로 볼 수 있습니다 .
• 규모의 경제와 원가 경쟁력: 삼성전자와 SK하이닉스는 오랜 시간 축적된 대규모 생산시설과 공정 최적화 경험을 통해 메모리 생산 비용을 낮추고 있습니다. 삼성전자는 2024년에만 반도체 분야에 **약 46조3천억원(약 320억 달러)**에 달하는 설비투자를 집행하여 경쟁사 대비 압도적인 CAPEX를 유지했습니다 . 이러한 투자 여력은 경기 불황기에도 감산보다는 시장 점유율 유지를 택하는 전략으로 이어져, 신규 진입자의 수익 확보를 어렵게 만드는 일종의 치킨 게임 양상도 보입니다. 실제로 2022~2023년 메모리 불황기에도 삼성은 생산을 크게 줄이지 않아 가격 하락을 감수하고 점유율을 지켰고, 이는 막대한 적자를 감내할 수 있는 자본력이 받쳐줬기에 가능했습니다. 향후 중국 CXMT가 시장에 본격 뛰어들 경우에도 한국 업체들은 규모의 경제로 단가를 인하하며 맞설 수 있는 체력을 갖추고 있습니다.
• 지식재산 보호 및 기술 격차 유지: 한국 기업들은 수십 년간 축적한 메모리 관련 특허와 노하우를 바탕으로 기술 우위를 지키고 있습니다. 이를 지키기 위해 삼성은 미국에서 특허 분쟁에 적극 대응하고 (예: 미국 Netlist와의 소송) , 정부와 협력하여 기술 유출 방지에도 힘쓰고 있습니다. 실제로 한국에서는 전직 메모리 엔지니어의 중국 이직 및 기술 유출 시도가 적발되어 최고 수위의 형사 처벌 사례가 나오기도 했습니다 . 이러한 IP 보호 노력은 중국 업체들이 단기간에 같은 수준의 제품을 내놓기 어렵게 만드는 요소입니다.
• 중국 시장에 대한 전략적 접근: 한편, 중국은 한국 메모리의 최대 수출시장이기도 한 점에서 전략적 딜레마가 있습니다. 2024년 삼성전자 반도체 부문 중국 매출은 약 64.9조원으로 전년 대비 54% 급증하여, 미국 매출(61.3조원)을 제치고 지역별 1위가 될 정도로 중국의 비중이 큽니다 . SK하이닉스 역시 중국 우시(Wuxi)에 대규모 DRAM 생산라인을 두고 있고, 전체 매출에서 중국 고객 비중이 높습니다. 따라서 중국의 부상에 대응하되, 동시에 중국 고객을 유지하는 균형 잡기가 중요합니다. 삼성과 SK는 중국 내 고객사(스마트폰 OEM, 클라우드 기업 등)와 협력을 지속하면서도, 미국의 대중 제재 정책에 발맞춰 첨단 제품은 중국 수출을 통제하는 등 복잡한 외교 환경 속에서 리스크 관리에 힘쓰고 있습니다 . 장기적으로 중국이 메모리 자급률을 높여 한국산 수입을 줄이는 정책을 펴고 있어 , 한국 업체들은 중국 외 시장 다변화와 제품 고급화로 이에 대비하고 있습니다.

요약하면, 한국 메모리 기업들은 기술과 제품의 양면에서 한 발 앞서가는 전략으로 중국의 도전을 견제하고 있습니다. 초미세공정과 HBM 같은 초격차 기술 확보, 광범위한 제품 포트폴리오로 저가 공세를 피할 수 있는 틈새 시장 선점, 그리고 방대한 투자로 후발주자의 추격을 따돌리는 전략을 통해 리더십을 지키려는 것입니다 . 동시에 최대 시장인 중국과의 관계를 관리하며 리스크를 줄이는 노력이 병행되고 있습니다.

4. CXMT의 DDR5 양산(2025년 말)의 시장 영향 전망

CXMT가 예고한 대로 2025년 말 DDR5 메모리의 본격 양산에 돌입하게 되면, 글로벌 DRAM 시장 판도에 적지 않은 변화가 예상됩니다. 우선 가장 크게 거론되는 것은 오랫동안 지속된 “빅3” 구도의 붕괴 가능성입니다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3사가 세계 DRAM 시장을 과점해왔으나, CXMT가 생산량을 크게 늘려 2025~2026년에 글로벌 점유율 10%대에 진입하면 사실상 4대 메모리 업체 체제가 성립하게 됩니다  . 이는 2000년대 일본 업체 퇴장 이후 3강 구도로 안정화되었던 DRAM 시장에 15년 만의 지각변동으로 평가됩니다 .

공급 측면 영향: 신규 공급자의 부상은 공급 과잉(oversupply) 사이클을 촉발할 가능성이 높습니다  . 실제로 CXMT는 2024년에 DDR4 물량을 대거 풀어 DRAM 현물가를 급락시켜 “가격 파괴자”로 부상한 바 있습니다  . 2024년 하반기 PC용 DDR4 8Gb 칩 고정거래가격이 7~8월 $2.1에서 1월 $1.35로 35% 이상 급락했는데, 이는 CXMT 등의 저가 공세 영향이라는 분석이 있습니다 . 마찬가지로 CXMT가 DDR5 양산을 시작하면 중국발 물량 공세로 DDR5 가격 하락 압력이 커질 전망입니다. CXMT는 정부 보조금으로 손실을 감내하면서도 시장점유율 확대를 우선시할 가능성이 높아, 공급 과잉에 따른 출혈 경쟁이 벌어질 소지가 있습니다 . 이런 치킨 게임 국면에서는 비용구조가 우위인 삼성, SK도 수익성 악화를 피하기 어렵고, 마이크론 등 상대적으로 약한 업체는 큰 압박을 받을 수 있습니다 . 특히 제품 믹스 중 범용 DDR 비중이 큰 삼성전자의 경우 가격 하락의 직격탄을 맞을 수 있다는 우려도 제기됩니다 .

수요 및 고객 측면: CXMT의 DDR5 본격화는 특히 중국 내수 시장에 큰 영향을 미칠 것으로 보입니다. 중국은 세계 최대 DRAM 수요처로, 그동안 서버, PC 제조사들이 삼성·SK·마이크론에 의존해왔습니다. 그러나 중국 정부가 안보 등을 이유로 자국산 메모리 채택을 독려하고 있어, CXMT 제품이 일정 수준 신뢰성을 갖추는 대로 국내 고객사로 빠르게 확산될 가능성이 큽니다 . 예를 들어 레노보, Inspur(浪潮) 등의 중국 서버업체나 로컬 PC OEM들이 CXMT DDR5를 채용하면, 한국산 메모리의 중국 수출 물량 감소로 이어질 것입니다. 특히 2023년 중국이 미국 마이크론 제품의 일부 판매를 금지한 사례처럼, 해외 메모리 퇴출을 공식화할 가능성도 배제할 수 없습니다. 그런 경우 삼성과 SK하이닉스는 중국 매출 비중이 높아 상당한 타격을 입을 수 있습니다 (한국의 2024년 대중 반도체 수출은 489억 달러로 전체 메모리 수출의 55%에 달함 ).

경쟁 및 기술 개발 레이스: CXMT의 DDR5 진입은 선도업체들의 기술 개발 레이스를 가속할 것으로 예상됩니다. 경쟁자들은 DDR5 시장의 조기 레드오션화를 피하기 위해, DDR6 등 차세대 표준 전환을 앞당길 수 있습니다. 현재 업계는 2025~2026년부터 DDR6 관련 표준화 논의를 시작할 전망이며, 삼성전자 등은 내부적으로 DDR6 R&D에 착수한 것으로 알려집니다. 또한 가격 경쟁이 심화되면, 삼성과 SK는 제품 차별화 전략을 강화하여 단순 PC/모바일 DDR5보다는 HBM, 산업용 DRAM, 소비자 맞춤형 솔루션 등에 역량을 집중할 수 있습니다. 이런 포트폴리오 변화는 CXMT의 영향권을 줄이고 수익성을 방어하는 한편, CXMT로서는 고급 시장 진입의 새로운 장벽이 될 수 있습니다.

“빅4” 시대와 산업 구조: 만약 CXMT가 계획대로 2025년에 10%대 중반의 점유율을 확보하고, 또 다른 중국 DRAM 업체(예: JHICC 등)가 부상한다면 DRAM 시장은 사국 체제로 재편될 수 있습니다. 이는 과거 일본->한국으로 주도권이 넘어간 역사적 재편과 유사한 흐름으로, 중국이 충분한 자본과 정책 지원을 통해 한국을 추월할 수도 있다는 가능성을 시사합니다  . 다만 메모리 산업은 진입장벽이 높고, 수급 사이클에 따른 부침이 크기 때문에 CXMT가 지속적으로 투자금을 확보하고 경쟁력을 유지해야만 이러한 재편이 현실화될 것입니다  . 단기적으로는 CXMT의 부상이 글로벌 메모리 업체들의 수익성 악화와 재편 압박으로 나타날 것이며, 중장기적으로는 남은 3사가 합종연횡(예: 특화 제품 집중, M&A 등)하거나 국가간 기술 패권 경쟁의 한 축으로 메모리 분야가 부상할 가능성이 있습니다.

정리하면, CXMT의 DDR5 양산은 DRAM 시장에 새로운 공급자와 가격 변수를 추가하는 사건이 될 전망입니다. 이는 소비자 입장에선 메모리 가격 인하 요인으로 긍정적일 수 있으나, 한국 기업 입장에서는 경쟁 심화와 이윤 감소 압력을 의미합니다. 향후 2025~2026년 CXMT의 행보에 따라 DRAM 시장의 구조적 변화(과점 붕괴 여부, 기술 리더십 이동 등)가 결정될 가능성이 높습니다  .

5. 중국 반도체 도약이 한국 경쟁력에 주는 시사점

중국의 반도체 기술 향상과 생산능력 증대는 한국 반도체 산업의 장기적 경쟁력 구도에 중대한 시사점을 던져주고 있습니다. 메모리 강국 한국은 그동안 기술 우위와 규모의 경제를 앞세워 왔지만, 중국이 전방위적 투자와 정책 지원으로 격차를 좁혀옴에 따라 기존 전략의 재검토와 새로운 대응책 마련이 필요하다는 지적입니다.

첫째, 산업 생태계 측면에서 중국은 메모리에 국한되지 않고 반도체 밸류체인 전반에서 경쟁력을 키워가고 있습니다 . DRAM의 CXMT, NAND의 YMTC, 파운드리의 SMIC, 팹리스의 하이실리콘(화웨이), AI반도체의 알리바바·텅쉰(텐센트) 등 각 분야별 국가대표 기업을 육성하며 종합적인 역량을 갖춰가고 있습니다  . 반면 한국은 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리에 산업 역량이 편중되어 있고, 시스템반도체(비메모리)나 장비 분야에서는 상대적으로 취약합니다 . 이는 중국이 향후 메모리+시스템의 결합 혁신이나 수직계열화를 통해 시너지를 낼 경우, 한국이 단순 메모리 경쟁력을 넘어 종합 반도체 경쟁에서 밀릴 수 있음을 시사합니다. 한국도 팹리스 육성, 파운드리 강화, 소재·장비 국산화 등 산업 생태계 다변화 전략을 가속화해야 할 필요성이 있습니다.

둘째, 가격 및 시장 지배력 측면에서 중국의 부상은 한국 기업들의 수익성 압박으로 이어질 수 있습니다. 국책 지원을 등에 업은 중국 업체들은 손해를 감수한 덤핑 전략으로 시장 점유율을 높일 가능성이 높고 , 이는 메모리 가격의 구조적 하락을 초래할 수 있습니다. 한국 메모리 산업은 수출 주도형으로, 메모리 가격 하락 시 국가 경제에도 타격이 크다는 점에서 거시경제 리스크가 증가합니다. 실제로 2022~23년 메모리 다운사이클 기간에 한국 수출과 무역수지가 악화된 바 있는데, 향후 중국발 공급과잉으로 가격 하락기가 잦아지면 한국 경제의 변동성이 더욱 커질 수 있습니다. 따라서 한국은 고부가가치 제품 비중 확대와 원가 절감 혁신을 통해 수익성 방어에 힘쓰는 한편, 메모리 외 새로운 성장동력 (예: 시스템반도체, AI반도체, 차량용 반도체 등) 발굴로 포트폴리오 다변화를 이뤄야 할 것입니다.

셋째, 기술 패권 및 안보 측면에서 중국의 추격은 한국의 전략적 입지 변화를 야기합니다. 반도체는 미중 기술패권 경쟁의 핵심 분야로, 한국은 현재 미국 주도의 대중 수출통제에 협력하면서도 중국 시장 의존이 큰 딜레마에 놓여 있습니다  . 중국이 메모리 자급에 성공하면 한국산 메모리에 대한 수요를 줄이며 한국을 압박하는 지렛대로 활용할 수 있고, 반대로 한국은 중국산 메모리에 대한 기술적 우위와 신뢰성을 내세워 서방 시장에서 중국을 견제하는 역할을 할 수도 있습니다. 그러나 장기적으로 중국이 기술 격차를 모두 해소할 경우, 더 이상 한국 제품을 선택해야 할 필연성이 줄어들기 때문에 한국의 협상력이나 국제 공급망에서의 지위가 약화될 수 있습니다. 이를 방지하려면 한국은 미국, 일본, 대만 등과의 기술 동맹을 강화하고 차세대 기술 표준을 주도하며, 중국과는 과도한 기술 유출을 방지하면서도 경제적 협력은 유지하는 정교한 전략이 요구됩니다.

넷째, 기업 차원의 대응으로는 한국 메모리 기업들의 사업 구조 재편과 혁신 가속이 필요합니다. 전문가들은 “레거시(성숙) 시장에서 정부 전폭 지원을 받는 중국 기업의 저가 전략을 전통적인 방식으로는 이기기 어렵다”며, 한국 기업들은 고급시장에 집중해야 한다고 조언합니다 . 실제로 한국 기업들은 한층 고성능·고신뢰성 제품 개발에 주력하고, AI 시대에 맞춰 메모리 아키텍처 혁신(PIM 등)이나 시스템 반도체와 결합한 통합 솔루션 등을 모색해야 합니다. 또한 원가경쟁력을 높이기 위해 제조 자동화, AI 기반 공정최적화 등 스마트 팹 기술을 도입하고, 미국 및 동남아 등 다변화된 생산거점 확보로 지정학적 위험도 분산시키는 노력이 필요합니다.

다섯째, 정부 정책적 지원 측면에서 한국은 중국의 막대한 보조금 공세에 대응하여 세제 혜택, 인프라 지원, 인력 양성 등 전폭적인 지원책을 확대해야 할 것입니다. 다행히 최근 한국 정부는 K-칩스법을 통해 대기업 시설투자 세액공제를 대폭 상향하고, 반도체 클러스터 조성을 추진하는 등 움직임을 보이고 있습니다. 그러나 중국의 1,369억 위안(약 136조원)에 달하는 국가반도체펀드 투자 와 비교하면 아직 규모나 속도 면에서 미흡하다는 지적이 있습니다. 산·학·연 협력으로 첨단 연구개발을 촉진하고, 반도체 인력 양성과 기술 창업 지원 등을 강화하여 장기적으로 기술 초격차 유지를 도모해야 할 것입니다.

끝으로, 중국의 도전은 동시에 한국에게 기회 요인도 될 수 있습니다. 중국의 추격이 거센 만큼, 한국 기업들은 안주하지 않고 끊임없는 혁신을 추구하게 될 것이고, 이는 결과적으로 기술 발전을 가속화하는 계기가 됩니다. 또한 글로벌 고객 입장에서는 중국산에 대한 불안이나 제재 리스크 때문에 한국산 프리미엄을 지속적으로 찾는 수요도 존재할 것입니다. 예컨대, 미국이나 유럽의 데이터센터 업체들은 중국산 메모리보다 삼성이나 SK 제품을 신뢰할 가능성이 높습니다. 따라서 한국은 품질과 신뢰성 면에서의 브랜드 가치를 더욱 높여 “메모리는 역시 삼성·하이닉스”라는 시장 평가를 공고히 할 필요가 있습니다.

결론적으로, 중국의 반도체 굴기는 한국에 크나큰 도전이지만, 대응 전략에 따라 새로운 도약의 전환점이 될 수도 있습니다. 과거 한국이 일본을 제치고 메모리 패권을 잡았듯이 , 이제 한국은 추격자가 아닌 수성자의 위치에서 또 다른 역사의 변곡점을 맞고 있습니다. 기술 혁신, 고급화 전략, 탄탄한 생태계 구축, 국제협력 및 대응 외교 등을 통해 한국이 메모리 강국의 지위를 지켜내고 종합 반도체 경쟁력까지 갖추는 것이 향후 과제가 될 것입니다. 이는 단순한 기업 차원의 문제가 아니라, 한국 산업 경쟁력의 핵심 축을 지키는 일인 만큼, 민관이 함께 장기적 안목으로 대응 전략을 수립해야 할 것입니다  .

참고자료: 본 분석은 Tom’s Hardware, DigiTimes, TrendForce, JoongAng Daily, Maeil Kyungje, South China Morning Post 등 2024~2025년 최신 보도를 종합한 것입니다. 각주에 표시된 번호는 해당 출처 및 내용을 나타냅니다.